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Componentes Electrónicos Originales ISC036N04NM5ATMA1 PG-TDSON-8 Transistores FL

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100-3,099 unidades
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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

ISC036N04NM5ATMA1

Marca

Original

Descripción

40V 3.6M MOSFET SUPERSO8

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PG-TDSON-8 FL

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
ISC036N04NM5ATMA1
Marca
Original
Descripción
40V 3.6M MOSFET SUPERSO8
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PG-TDSON-8 FL
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
OptiMOS 5
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
40 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
21A (Ta), 98A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
3.6mOhm @ 49A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.4V @ 23µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
2000 pF @ 20 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
7V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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