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Componentes Electrónicos Originales Circuito de Memoria IS43LD16640C-25BL-TR

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Código de fecha de fabricación

NUEVO

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

IS43LD16640C-25BL-TR

Tipo de montaje

-

Tamaño de la memoria

1Gbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
IS43LD16640C-25BL-TR
Tipo de montaje
-
Tamaño de la memoria
1Gbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
Tipo de embajaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 85°C (TC)
PAQUETE/cubierta
-
Serie
-
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - Móvil LPDDR2-S4
-Tensión de alimentación
1.14V ~ 1.95V
Frecuencia de reloj
400 MHz
Organización de la memoria
64M x 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15ns
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
DRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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