Componente Electrónico Original BSC014N04LSI MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
Sin reseñas
Atributos
MOSFETTipo
estándarUso
Carrete, Cinta CortadaTipo de paquete
SMD/SMT de superficieTipo de montaje
OtrosLos medios disponibles
Fabricante originalTipo de Proveedor
Número de pieza del fabricante:BSC014N04LSI
Marca:original
Descripción:MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
Lugar del origen:original
PAQUETE/cubierta:TDSON-8
Temperatura de funcionamiento:- 55C-+ 150C
Serie:BSC014N04 BSC014N04
Código de fecha de fabricación:estándar
Referencia cruzada:estándar
Corriente de colector (Ic) (máx.):estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:estándar
Corriente de colector de corte (Max):estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:estándar
Poder-Max:96 vatios
Resistencia Base (R1):estándar
Resistencia-emisor Base (R2):estándar
FET tipo:1 canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss):40 voltios
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:100 amperios
Rds (Max) @ Id Vgs:1,45 milésimas de ohmio
Vgs (th) (Max) @ Id:1,2 voltios
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:55 nCata
Vgs (Max):20 voltios
Tipo IGBT de:1 Canal N
Tipo de Transistor:1 Canal N
Características clave
Tipo
MOSFET
Uso
estándar
Tipo de paquete
Carrete, Cinta Cortada
Tipo de montaje
SMD/SMT de superficie
Los medios disponibles
Otros
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Poder-Max
96 vatios
PAQUETE/cubierta
TDSON-8
Descripción
MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
Número de pieza del fabricante
BSC014N04LSI
Marca
original
Lugar del origen
original
Temperatura de funcionamiento
- 55C-+ 150C
Serie
BSC014N04 BSC014N04
Código de fecha de fabricación
estándar
Referencia cruzada
estándar
Corriente de colector (Ic) (máx.)
estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
estándar
Corriente de colector de corte (Max)
estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
estándar
Resistencia Base (R1)
estándar
Resistencia-emisor Base (R2)
estándar
FET tipo
1 canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
40 voltios
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
100 amperios
Rds (Max) @ Id Vgs
1,45 milésimas de ohmio
Vgs (th) (Max) @ Id
1,2 voltios
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
55 nCata
Vgs (Max)
20 voltios
Tipo IGBT de
1 Canal N
Tipo de Transistor
1 Canal N
Tipo de montaje
Montaje superficial
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
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EUR 2.32
10 - 499 unidades
EUR 1.50
500 - 999 unidades
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