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Componente Electrónico Original BSC030P03NS3G MOSFET P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3

Sin reseñas
EUR 2.41
1-9 unidades
EUR 1.56
10-999 unidades
EUR 0.7903
1,000-2,999 unidades
EUR 0.5328
≥3,000 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

BSC030P03NS3G

Tipo

MOSFET

Marca

original

Tipo de paquete

Carrete, Cinta Cortada

Descripción

MOSFETs de Canal P -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3

Lugar del origen

Other

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Características clave

Número de pieza del fabricante
BSC030P03NS3G
Tipo
MOSFET
Marca
original
Tipo de paquete
Carrete, Cinta Cortada
Descripción
MOSFETs de Canal P -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
Lugar del origen
original
PAQUETE/cubierta
TDSON-8
Temperatura de funcionamiento
- 55C-+ 150C
Serie
ÓptiMOSP3
Código de fecha de fabricación
estándar
Uso
estándar
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Referencia cruzada
estándar
Los medios disponibles
Otros
Corriente de colector (Ic) (máx.)
estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
estándar
Corriente de colector de corte (Max)
estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
estándar
Poder-Max
125 vatios
Resistencia Base (R1)
estándar
Resistencia-emisor Base (R2)
estándar
FET tipo
1 Canal P
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30 voltios
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
100 amperios
Rds (Max) @ Id Vgs
2,3 milésimas de ohmio
Vgs (th) (Max) @ Id
3,1 voltios
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
186 nCés
Vgs (Max)
20 voltios
Tipo IGBT de
1 Canal N
Tipo de Transistor
1 Canal P
Tipo de montaje
Montaje superficial

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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