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Componente Electrónico Original IPB60R190C6 MOSFET N-Ch 600V 20.2A D2PAK-3 para C6 151W 170mOhms para C6

Sin reseñas
EUR340
1-9 unidades
EUR222
10-499 unidades
EUR146
500-999 unidades
EUR109
≥1,000 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IPB60R190C6

Tipo

MOSFET

Marca

original

Tipo de paquete

Carrete, Cinta Cortada

Descripción

MOSFETs de Canal N 600V 20.2A D2PAK-2

Lugar del origen

Other

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IPB60R190C6
Tipo
MOSFET
Marca
original
Tipo de paquete
Carrete, Cinta Cortada
Descripción
MOSFETs de Canal N 600V 20.2A D2PAK-2
Lugar del origen
original
PAQUETE/cubierta
D2PAK-3 (equivalente a TO-263-3)
Temperatura de funcionamiento
- 55C-+ 150C
Serie
IPB60R190C6 IPB60R190C6 IPB60R190C6
Código de fecha de fabricación
estándar
Uso
estándar
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Referencia cruzada
estándar
Los medios disponibles
Otros
Corriente de colector (Ic) (máx.)
estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
estándar
Corriente de colector de corte (Max)
estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
estándar
Poder-Max
151 vatios
Resistencia Base (R1)
estándar
Resistencia-emisor Base (R2)
estándar
FET tipo
1 Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
600 voltios
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
20,2 A
Rds (Max) @ Id Vgs
170 milésimas de ohmio
Vgs (th) (Max) @ Id
20 voltios
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
63 nCés
Vgs (Max)
20 voltios
Tipo IGBT de
1 Canal N
Tipo de Transistor
1 Canal N
Tipo de montaje
Montaje superficial

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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