Componente Electrónico Original IPB60R190C6 MOSFET N-Ch 600V 20.2A D2PAK-3 para C6 151W 170mOhms para C6
Sin reseñas
Atributos
MOSFETTipo
estándarUso
Carrete, Cinta CortadaTipo de paquete
SMD/SMT de superficieTipo de montaje
OtrosLos medios disponibles
Fabricante originalTipo de Proveedor
Número de pieza del fabricante:IPB60R190C6
Marca:original
Descripción:MOSFETs de Canal N 600V 20.2A D2PAK-2
Lugar del origen:original
PAQUETE/cubierta:D2PAK-3 (equivalente a TO-263-3)
Temperatura de funcionamiento:- 55C-+ 150C
Serie:IPB60R190C6 IPB60R190C6 IPB60R190C6
Código de fecha de fabricación:estándar
Referencia cruzada:estándar
Corriente de colector (Ic) (máx.):estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:estándar
Corriente de colector de corte (Max):estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:estándar
Poder-Max:151 vatios
Resistencia Base (R1):estándar
Resistencia-emisor Base (R2):estándar
FET tipo:1 Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss):600 voltios
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:20,2 A
Rds (Max) @ Id Vgs:170 milésimas de ohmio
Vgs (th) (Max) @ Id:20 voltios
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:63 nCés
Vgs (Max):20 voltios
Tipo IGBT de:1 Canal N
Tipo de Transistor:1 Canal N
Características clave
Tipo
MOSFET
Uso
estándar
Tipo de paquete
Carrete, Cinta Cortada
Tipo de montaje
SMD/SMT de superficie
Los medios disponibles
Otros
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Poder-Max
151 vatios
PAQUETE/cubierta
D2PAK-3 (equivalente a TO-263-3)
Descripción
MOSFETs de Canal N 600V 20.2A D2PAK-2
Número de pieza del fabricante
IPB60R190C6
Marca
original
Lugar del origen
original
Temperatura de funcionamiento
- 55C-+ 150C
Serie
IPB60R190C6 IPB60R190C6 IPB60R190C6
Código de fecha de fabricación
estándar
Referencia cruzada
estándar
Corriente de colector (Ic) (máx.)
estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
estándar
Corriente de colector de corte (Max)
estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
estándar
Resistencia Base (R1)
estándar
Resistencia-emisor Base (R2)
estándar
FET tipo
1 Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
600 voltios
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
20,2 A
Rds (Max) @ Id Vgs
170 milésimas de ohmio
Vgs (th) (Max) @ Id
20 voltios
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
63 nCés
Vgs (Max)
20 voltios
Tipo IGBT de
1 Canal N
Tipo de Transistor
1 Canal N
Tipo de montaje
Montaje superficial
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
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