Componente Electrónico Original IRFS7437TRLPBF MOSFET 40V 195A 1.8mOhm 150nC StrongIRFET
Sin reseñas
Atributos
MOSFETTipo
estándarUso
Carrete, Cinta CortadaTipo de paquete
SMD/SMT de superficieTipo de Montaje
OtrosLos medios disponibles
Fabricante originalTipo de Proveedor
Número de Modelo:IRFS7437TRLPBF
Marca:original
Descripción:MOSFETs 40V 195A 1.8mOhm 150nC StrongIRFET
Lugar del origen:original
PAQUETE/cubierta:HACER-263
Temperatura de funcionamiento:- 55°C-+ 175°C
Serie:IRFS7437TRLPB
d/c:estándar
Referencia cruzada:estándar
Corriente de colector (Ic) (máx.):estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:estándar
Corriente de colector de corte (Max):estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:estándar
Poder-Max:230 vatios
Resistencia Base (R1):estándar
Resistencia-emisor Base (R2):estándar
FET tipo:1 Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss):40 voltios
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:250 amperios
Rds (Max) @ Id Vgs:1,8 milésimas de ohmio
Vgs (th) (Max) @ Id:3,9 voltios
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:225 nCientos
Vgs (Max):20 voltios
Tipo IGBT de:1 Canal N
Tipo de Transistor:1 Canal N
Tipo de montaje:Montaje superficial
Características clave
Tipo
MOSFET
Uso
estándar
Tipo de paquete
Carrete, Cinta Cortada
Tipo de Montaje
SMD/SMT de superficie
Los medios disponibles
Otros
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Poder-Max
230 vatios
PAQUETE/cubierta
HACER-263
Descripción
MOSFETs 40V 195A 1.8mOhm 150nC StrongIRFET
Número de Modelo
IRFS7437TRLPBF
Marca
original
Lugar del origen
original
Temperatura de funcionamiento
- 55°C-+ 175°C
Serie
IRFS7437TRLPB
d/c
estándar
Referencia cruzada
estándar
Corriente de colector (Ic) (máx.)
estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
estándar
Corriente de colector de corte (Max)
estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
estándar
Resistencia Base (R1)
estándar
Resistencia-emisor Base (R2)
estándar
FET tipo
1 Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
40 voltios
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
250 amperios
Rds (Max) @ Id Vgs
1,8 milésimas de ohmio
Vgs (th) (Max) @ Id
3,9 voltios
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
225 nCientos
Vgs (Max)
20 voltios
Tipo IGBT de
1 Canal N
Tipo de Transistor
1 Canal N
Tipo de montaje
Montaje superficial
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 9 unidades
EUR 1.05
10 - 999 unidades
EUR 0.8232
1,000 - 2,999 unidades
EUR 0.566
>= 3,000 unidades
EUR 0.4202
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