Componente Electrónico Original, Memoria GD25B512MFFIRR
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
512 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Circuitos Integrados (IC)Características
Tipo de memoria:-
La tecnología:FLASH - NO (SLC)
-Tensión de alimentación:-
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Organización de la memoria:64M x 8 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples, QPI
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
512 Mbits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados (IC)
Tipo de memoria
-
La tecnología
FLASH - NO (SLC)
-Tensión de alimentación
-
Frecuencia de reloj
133 megahercios
Organización de la memoria
64M x 8 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
SPI - E/S cuádruples, QPI
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
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EUR 1.87
>= 4,000 unidades
EUR 0.9323
Variantes
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GD25B512MFFIR
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