Componente Electrónico Original RMLV0816BGSB-4S2 # Memoria HA0 44 TSOP
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Atributos
Componente y PiezaTipo
8 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Componentes Electrónicos ICCaracterísticas
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM
-Tensión de alimentación:2,4 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:512K por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:45 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
8 Mbits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SRAM
-Tensión de alimentación
2,4 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
512K por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
45 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 999 unidades
EUR 272
>= 1,000 unidades
EUR 191
Variantes
ElegirEspecificación
RMLV0816BGSB4S2 # agujas
Envío
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