Componente Electrónico de Memoria Original GD25WD10EK6IGR 6 XFDFN
Puntuación de la tienda:
5.0
(1 comentarios)
Atributos
FLASH - NO (SLC)La tecnología
No volátilTipo de memoria
128K por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
1 MbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Circuito Integrado Chip
-Tensión de alimentación:1,65 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:104 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:150 micros, 6 ms
Interfaz de Memoria:SPI - Entrada/Salida Dual
Características clave
La tecnología
FLASH - NO (SLC)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
128K por 8
Tipo
Componente y Pieza
-Tensión de alimentación
1,65 V ~ 3,6 V
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado Chip
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
150 micros, 6 ms
Frecuencia de reloj
104 megahercios
Lugar del origen
China
Tamaño de la memoria
1 Mbit
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Interfaz de Memoria
SPI - Entrada/Salida Dual
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
1X1X1 cm
Peso bruto por lote
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
3,000 - 5,999 unidades
EUR 0.121
>= 6,000 unidades
EUR 0.0605
Variantes
ElegirEspecificación
GD25WD10EK6IGR
Envío
Tarifa de envío y fecha de entrega por definir. Chatea con el proveedor para confirmar los detalles.
4 pagos sin intereses con
Protección de pedidos de Alibaba.com
Pagos seguros
Todos tus pagos realizados en Alibaba.com están protegidos por cifrado SSL y protocolos de protección de datos PCI DSS
Devoluciones fáciles
Realiza devoluciones locales gratuitas por defectos en compras elegibles
Garantía de devolución de dinero
Solicita un reembolso si tu pedido no se envía, no llega o hay defectos en el producto
Solo los pedidos realizados y pagados a través de Alibaba.com reciben la protección gratuita de
