Transistor de Potencia MOSFET IRFP064NPBF Original, Lista de Materiales (BOM), Cotización, 200V 18A IRFP064
Puntuación de la tienda:
5.0
(1 comentarios)






Atributos
FET MOSFETTipo
estándarUso
/Tipo de paquete
Orificio pasante, estándarTipo de montaje
Carburo de silicio (SiC)FET característica
estándarConfiguración
Los medios disponibles:Hoja de Datos
Tipo de Proveedor:Fabricante original
Poder-Max:estándar
PAQUETE/cubierta:PARA-247
Descripción:200V 18A IRFP064 200V 18A IRFP064 Transistor IRFP064 de 200V y 18A, FET de puente de mos
Número de pieza del fabricante:IRFP064NPBF
Marca:JMY/Original Brand
Lugar del origen:China
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (Técnico de Juegos)
Serie:estándar
Código de fecha de fabricación:Más reciente
Referencia cruzada:SVF7N60F
Corriente de colector (Ic) (máx.):estándar
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.):estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:estándar
Corriente de colector de corte (Max):estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:estándar
-Frecuencia de transición:estándar
Resistencia Base (R1):estándar
Resistencia-emisor Base (R2):estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss):estándar
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:estándar
Rds (Max) @ Id Vgs:estándar
Vgs (th) (Max) @ Id:estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):estándar
Frecuencia:estándar
Corriente nominal (en amperios):estándar
Ruido:estándar
Potencia de salida:estándar
-Tensión nominal:estándar
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):estándar
Vgs (Max):estándar
Tipo IGBT de:estándar
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:estándar
De entrada:estándar
Termistor NTC:estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):estándar
Corriente de drenaje (Id).:estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id:estándar
Resistencia-On (RDS):estándar
Tensión de salida-salida:estándar
-Tensión Offset (Vt):estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):estándar
Corriente de Valle Iv):estándar
Corriente de pico:estándar
Tipo de Transistor:estándar
Tecnología:MOSFET (Óxido Metálico)
Nombre del Producto:pulso IRFP064
PLAZO DE ENTREGA:1-3 Días Laborales
Hoja de datos:¡Por favor, contáctenos!
Características clave
Tipo
FET MOSFET
Uso
estándar
Tipo de paquete
/
Tipo de montaje
Orificio pasante, estándar
FET característica
Carburo de silicio (SiC)
Configuración
estándar
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Poder-Max
estándar
PAQUETE/cubierta
PARA-247
Descripción
200V 18A IRFP064 200V 18A IRFP064 Transistor IRFP064 de 200V y 18A, FET de puente de mos
Número de pieza del fabricante
IRFP064NPBF
Marca
JMY/Original Brand
Lugar del origen
China
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (Técnico de Juegos)
Serie
estándar
Código de fecha de fabricación
Más reciente
Referencia cruzada
SVF7N60F
Corriente de colector (Ic) (máx.)
estándar
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
estándar
Corriente de colector de corte (Max)
estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
estándar
-Frecuencia de transición
estándar
Resistencia Base (R1)
estándar
Resistencia-emisor Base (R2)
estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
estándar
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
estándar
Rds (Max) @ Id Vgs
estándar
Vgs (th) (Max) @ Id
estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
estándar
Frecuencia
estándar
Corriente nominal (en amperios)
estándar
Ruido
estándar
Potencia de salida
estándar
-Tensión nominal
estándar
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
estándar
Vgs (Max)
estándar
Tipo IGBT de
estándar
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
estándar
De entrada
estándar
Termistor NTC
estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
estándar
Corriente de drenaje (Id).
estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id
estándar
Resistencia-On (RDS)
estándar
Tensión de salida-salida
estándar
-Tensión Offset (Vt)
estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
estándar
Corriente de Valle Iv)
estándar
Corriente de pico
estándar
Tipo de Transistor
estándar
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Nombre del Producto
pulso IRFP064
PLAZO DE ENTREGA
1-3 Días Laborales
Hoja de datos
¡Por favor, contáctenos!
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
3X2X0.5 cm
Peso bruto
0.010 kg
Tiempo de entrega
Opciones de personalización
Logotipo personalizado(+ desde /Pedido mínimo: 10,000 unidades)
Embalaje personalizado(+ desde /Pedido mínimo: 10,000 unidades)
Personalización gráfica(+ desde /Pedido mínimo: 10,000 unidades)
Ver detalles
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
Personalizable
25 - 99 unidades
EUR 0.6285
100 - 999 unidades
EUR 0.6112
1,000 - 9,999 unidades
EUR 0.594
>= 10,000 unidades
EUR 0.5596
Cantidad
Opciones de personalización
Logotipo personalizado (Pedido mínimo: 10,000 unidades)
Embalaje personalizado (Pedido mínimo: 10,000 unidades)
Personalización gráfica (Pedido mínimo: 10,000 unidades)
Envío
Tarifa de envío y fecha de entrega por definir. Chatea con el proveedor para confirmar los detalles.
Subtotal del artículo
EUR 0.00
Total del envío
Por definir
Total antes de impuestos
EUR 0.00
4 pagos sin intereses con
Protección de pedidos de Alibaba.com
Pagos seguros
Todos tus pagos realizados en Alibaba.com están protegidos por cifrado SSL y protocolos de protección de datos PCI DSS
Devoluciones fáciles
Realiza devoluciones locales gratuitas por defectos en compras elegibles
Garantía de devolución de dinero
Solicita un reembolso si tu pedido no se envía, no llega o hay defectos en el producto














