Transistor Mosfet Original IRFZ44, Canal N, 55 V, 49 A, 110 W, DIP TO-220AB, IRFZ44N

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Shenzhen Mixinwei Trading Co., Ltd.

Proveedor multiespecialidad

5 años

CN

Atributos

MOSFETTipo

Transistor del MosfetUso

A través del agujeroTipo de paquete

A través del agujeroTipo de montaje

-FET característica

Hoja de DatosLos medios disponibles

Poder-Max:110W (Tc)

PAQUETE/cubierta:TO-220-3

Descripción:IRFZ44N Transistores

Número de pieza del fabricante:IRFZ44N 127

Marca:Original

Lugar del origen:China

Temperatura de funcionamiento:-55 °C ~ 175 °C (TJ)

Serie:Transistor

Código de fecha de fabricación:Nuevo

Referencia cruzada:IRFZ44ZLPBF, IRFZ44VZPBF, IRFZ44NLPBF, IRFZ44EPBF, IRFZ44PBF-BE3, IRFZ44VPBF, IRFZ44NPBF, IRFZ44ZPBF, IRFZ44RPBF, IRFZ44PBF, IRFZ44RPBF-BE3, AUIRFZ44Z, AUIRFZ44NSTRL, IRFZ44R, IRFZ44L, IRFZ44NL, IRFZ44VZ, IRFZ44ZL, IRFZ44N 127, IRFZ44Z, IRFZ44VZL, IRFZ44E, AUIRFZ44NS, AUIRFZ44N

FET tipo:Canal N

Tensión de drenador a fuente (Vdss):55 V

Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:49A (Tc)

Rds (Max) @ Id Vgs:22mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA

La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:62 nC @ 10 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):1800 pF @ 25 V

Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):10V

Vgs (Max):± 20V

Tipo de montaje:A través del agujero

Marca:Original

Tiempo de almacenamiento:3-5día

Dirección de entrega:Shenzhen

Productos destacados

Voltaje de drenaje a fuente: Un voltaje máximo de drenaje a fuente de 55V asegura que el transistor puede manejar aplicaciones de alta tensión, haciéndolo adecuado para una amplia gama de dispositivos electrónicos.

Corriente de drenaje continua: Con una corriente de drenaje continua de 49A a 25°C, el transistor puede soportar aplicaciones de alta potencia y alta corriente, garantizando un rendimiento confiable en entornos exigentes.

Disipación de potencia: Una disipación de potencia máxima de 110W permite al transistor gestionar cargas térmicas significativas, mejorando su durabilidad y fiabilidad en circuitos de alta potencia.

Características clave

Tipo

MOSFET

Uso

Transistor del Mosfet

Tipo de paquete

A través del agujero

Tipo de montaje

A través del agujero

FET característica

-

Los medios disponibles

Hoja de Datos

Poder-Max

110W (Tc)

PAQUETE/cubierta

TO-220-3

Descripción

IRFZ44N Transistores

Número de pieza del fabricante

IRFZ44N 127

Marca

Original

Lugar del origen

China

Temperatura de funcionamiento

-55 °C ~ 175 °C (TJ)

Serie

Transistor

Código de fecha de fabricación

Nuevo

Referencia cruzada

IRFZ44ZLPBF, IRFZ44VZPBF, IRFZ44NLPBF, IRFZ44EPBF, IRFZ44PBF-BE3, IRFZ44VPBF, IRFZ44NPBF, IRFZ44ZPBF, IRFZ44RPBF, IRFZ44PBF, IRFZ44RPBF-BE3, AUIRFZ44Z, AUIRFZ44NSTRL, IRFZ44R, IRFZ44L, IRFZ44NL, IRFZ44VZ, IRFZ44ZL, IRFZ44N 127, IRFZ44Z, IRFZ44VZL, IRFZ44E, AUIRFZ44NS, AUIRFZ44N

FET tipo

Canal N

Tensión de drenador a fuente (Vdss)

55 V

Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C

49A (Tc)

Rds (Max) @ Id Vgs

22mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs

62 nC @ 10 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)

1800 pF @ 25 V

Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)

10V

Vgs (Max)

± 20V

Tipo de montaje

A través del agujero

Marca

Original

Tiempo de almacenamiento

3-5día

Dirección de entrega

Shenzhen

Empaque y entrega

Unidades de venta

Artículo individual

Tiempo de entrega

Opciones de personalización

PCBA(+ desde /Pedido mínimo: 1 unidad)

SMT(+ desde /Pedido mínimo: 1 unidad)

PCB(+ desde /Pedido mínimo: 1 unidad)

BOM(+ desde /Pedido mínimo: 1 unidad)

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