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#11 populares en Transistores FET de canal NNúmero de pieza del fabricante
IRFZ44N 127
Tipo
MOSFET
Marca
Original
Tipo de paquete
A través del agujero
Descripción
IRFZ44N Transistores
Lugar del origen
China
MOSFET de canal N: El diseño del MOSFET de canal N permite un conmutación y control eficientes en una amplia gama de aplicaciones electrónicas, asegurando un rendimiento confiable.
Voltaje de drenaje a fuente 55V: Con un voltaje de drenaje a fuente de 55V, este transistor puede manejar aplicaciones de alto voltaje, lo que lo hace adecuado para circuitos robustos y exigentes.
Corriente de drenaje continua 49A: Una corriente de drenaje continua de 49A a 25°C asegura que el transistor pueda manejar cargas de corriente alta, proporcionando estabilidad y confiabilidad en aplicaciones intensivas en energía.
Montaje por agujero pasante: El montaje por agujero pasante simplifica el proceso de instalación y proporciona una conexión segura, reduciendo el riesgo de desprendimiento de componentes durante la operación.
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