Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 gigabitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado (IC)
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NO (SLC)
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:128M x 8 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:120 nanos, 10 micros
Interfaz de Memoria:fondo de inversión
