Componente Electrónico Original de Memoria 48 TFSOP GD9FS2G6F2AMGI
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
2 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Componentes Electrónicos Circuito IntegradoCaracterísticas
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (SLC)
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:128M por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:25 segundos
Interfaz de Memoria:ONFI
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
2 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos Circuito Integrado
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
FLASH - NAND (SLC)
-Tensión de alimentación
1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
128M por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
25 segundos
Interfaz de Memoria
ONFI
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
960 - 3,959 unidades
EUR 203
>= 3,960 unidades
EUR 102
Variantes
ElegirEspecificación
GD9FS2G6F2AMG
Envío
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