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Transistor MOSFET original IRFB4110PBF, MOSFET de canal N, 100 V, 120 A, 370 W, TO-220AB, IRFB 4110

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#16 populares en Transistores FET de canal N

EUR 0.535

Cantidad mínima de compra: 10 unidades

Características

Capacidad de personalización del proveedor

Características principales

Número de pieza del fabricante

IRFB4110PBF

Tipo

Transistor

Marca

Original

Tipo de paquete

Through Hole

Descripción

Canal N, 100 V, 120A (Tc), 370W (Tc), montaje en orificio pasante, TO-220AB

Lugar del origen

Other

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Características clave

Número de pieza del fabricante

IRFB4110PBF

Tipo

Transistor

Marca

Original

Tipo de paquete

Through Hole

Descripción

Canal N, 100 V, 120A (Tc), 370W (Tc), montaje en orificio pasante, TO-220AB

Lugar del origen

Original

PAQUETE/cubierta

TO-220-3

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Uso

Transistor

FET tipo

Canal N

Tensión de drenador a fuente (Vdss)

100 V

Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C

120A (Tc)

Rds (Max) @ Id Vgs

10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5mOhm @ 75A, 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)

9620 pF @ 50 V

Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)

10V

Vgs (Max)

±20V

Tipo de montaje

Montaje en orificio pasante

Descripción

IRFB4110PBF

Empaque y entrega

Unidades de venta

Artículo individual

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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