Original-Nuevo transistor de efecto de campo (MOSFET) del transistor de La RJK1008DPN-00-VB DE LA TO-220AB
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4.8
(15 reseñas)





Atributos
TransistorTipo
Montaje superficial/a través del agujeroTipo de paquete
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, OtrosLos medios disponibles
Fabricante original, ODM, Agencia, Minorista, OtrosTipo de Proveedor
TO-220ABPAQUETE/cubierta
Nuevo y originalDescripción
Número de Modelo:RJK1008DPN-00-VB
Marca:new and brand original
Lugar del origen:Guangdong, China
Tipo de montaje:SMD/a través del agujero
CZSKU:LC0247253

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Principales mercados: República de Corea, Estados Unidos de América, Ucrania, Australia, Chile
Características clave
Tipo
Transistor
Tipo de paquete
Montaje superficial/a través del agujero
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, Otros
Tipo de Proveedor
Fabricante original, ODM, Agencia, Minorista, Otros
PAQUETE/cubierta
TO-220AB
Descripción
Nuevo y original
Lugar del origen
Guangdong, China
Marca
new and brand original
Número de Modelo
RJK1008DPN-00-VB
Tipo de montaje
SMD/a través del agujero
CZSKU
LC0247253
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
20X15X3 cm
Peso bruto por lote
0.500 kg
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Por SMT(+ desde /Pedido mínimo: 999 unidades)
OEM(+ desde /Pedido mínimo: 999 unidades)
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Original-Nuevo transistor de efecto de campo (MOSFET) del transistor de La RJK1008DPN-00-VB DE LA TO-220AB












