Servicio Integral Original para Comprar Componentes Electrónicos en Línea W66BQ6NBQAFJ TR 200 TFBGA Memoria
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Atributos
SDRAM - LPDDR4X móvilLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
128M por 16Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
2 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Componente Electrónico Bom Service
-Tensión de alimentación:1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:1,6 gigahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:18 segundos
Interfaz de Memoria:LVSTL_06
Características clave
La tecnología
SDRAM - LPDDR4X móvil
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
128M por 16
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
2 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componente Electrónico Bom Service
-Tensión de alimentación
1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj
1,6 gigahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
18 segundos
Interfaz de Memoria
LVSTL_06
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
2,500 - 5,499 unidades
EUR 1.33
>= 5,500 unidades
EUR 0.6614
Variantes
ElegirEspecificación
W66BQ6NBQAFJ TRA
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