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Sin reseñas
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100-3,099 unidades
EUR127
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

TK16V60W,LVQ

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 600V 15.8A 4DFN

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

4-DFN-EP (8x8)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
TK16V60W,LVQ
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 600V 15.8A 4DFN
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
4-DFN-EP (8x8)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Serie
DTMOSIV
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
600 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
15.8A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.7V @ 790µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1350 pF @ 300 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±30V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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