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Servicio Integral Original para Comprar Componentes Electrónicos en Línea, Transistores IRF7341TRPBF 8-SolC

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100-3,099 unidades
EUR 0.5061
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IRF7341TRPBF

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IRF7341TRPBF
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
HEXFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
2W
FET característica
Puerta de nivel lógico
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
55V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
4.7A
Rds (Max) @ Id Vgs
50 miliohmios a 4,7 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
740pF @ 25V
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Canales N (Doble)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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