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Servicio Integral Original para Comprar Componentes Electrónicos en Línea, Transistores SIZ240DT-T1-GE3 8-PowerWDFN

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100-3,099 unidades
EUR 0.5861
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SIZ240DT-T1-GE3

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 40V 17.2A 8PWRPAIR

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-PowerWDFN

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SIZ240DT-T1-GE3
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 40V 17.2A 8PWRPAIR
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-PowerWDFN
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
TrenchFET de cuarta generación
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
4.3W (Ta), 33W (Tc)
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
40V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
17.2A (Ta), 48A (Tc), 16.9A (Ta), 47A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
8,05 mOhm a 10 A, 10 V, 8,41 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
23nC @ 10V, 22nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1180pF @ 20V, 1070pF @ 20V
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Canales N (Doble)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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