Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
128 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:PSRAM (Pseudo SRAM)
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Organización de la memoria:16M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:37,5 segundos
Interfaz de Memoria:SPI - E/S Octal
