Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 MbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados Electrónicos
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:EEPROM
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj:20 megahercios
Organización de la memoria:128K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:3,5 ms
Interfaz de Memoria:interfaz serie
