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Servicio Integral Original, Compre en Línea Componentes Electrónicos SI5935DC-T1-GE3 8-SMD, Transistores de Terminales Planos

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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SI5935DC-T1-GE3

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-SMD, terminales planos

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SI5935DC-T1-GE3
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-SMD, terminales planos
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
TrenchFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
1.1W
FET característica
Puerta de nivel lógico
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
20V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
3A
Rds (Max) @ Id Vgs
86mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
8.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-
Configuración
2 P-Channel (Dual)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Canales P (Doble)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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