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Componentes Electrónicos Originales de Servicio Integral TPN19008QM,LQ 8-TSON Transistores Avanzados

Sin reseñas
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100-3,099 unidades
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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

TPN19008QM,LQ

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-TSON Advance (3.1x3.1)

Temperatura de funcionamiento

175°C

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Características clave

Número de pieza del fabricante
TPN19008QM,LQ
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Serie
U-MOSX-H
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
80 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
34A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
19mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1400 pF @ 40 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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