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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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Componentes Electrónicos Originales de Servicio Integral, Transistores SIHP100N65E-GE3 TO-220AB

Sin reseñas
EUR518
100-3,099 unidades
EUR260
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SIHP100N65E-GE3

Marca

Original

Descripción

MOSFET de potencia serie E 650 V (D-

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-220AB

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

FET característica
-
PAQUETE/cubierta
TO-220AB
Descripción
MOSFET de potencia serie E 650 V (D-
Número de pieza del fabricante
SIHP100N65E-GE3
Marca
Original
Lugar del origen
China
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
E
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
100mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
2137 pF @ 100 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±30V
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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