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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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Componentes Electrónicos Originales de Servicio Integral, Transistores BSZ16DN25NS3GATMA1 PG-TSDSON-8

Sin reseñas
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100-3,099 unidades
EUR 0.7003
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

BSZ16DN25NS3GATMA1

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PG-TSDSON-8

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Tipo de montaje
Standard
FET característica
-
PAQUETE/cubierta
PG-TSDSON-8
Descripción
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Número de pieza del fabricante
BSZ16DN25NS3GATMA1
Marca
Original
Lugar del origen
China
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
OptiMOS
Código de fecha de fabricación
NEW
FET tipo
N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
250 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
10.9A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
165mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 32µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
11.4 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
920 pF @ 100 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Package
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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