Componentes Electrónicos de Circuito de Memoria EM004LXOBB320ES1T 24 TBGA, Servicio Integral Original
Sin reseñas
Atributos
MRAM (RAM magnetoresistiva)La tecnología
No volátilTipo de memoria
512 mil x 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Kit de Componentes Electrónicos
-Tensión de alimentación:1,65 V ~ 2 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:SPI - E/S Octal
Características clave
La tecnología
MRAM (RAM magnetoresistiva)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
512 mil x 8
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Kit de Componentes Electrónicos
-Tensión de alimentación
1,65 V ~ 2 V
Frecuencia de reloj
200 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
SPI - E/S Octal
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 3,000 unidades
EUR 1025
≥ 3,001 unidades
EUR 513
Variantes
ElegirEspecificación
EM004LXOBB320ES1T
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