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Servicio Integral Original EM032LXQADG13CS2T 8 VDFN Memoria de Placa Expuesta, Compre Componentes Electrónicos en Línea

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Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
32 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
MRAM (RAM magnetoresistiva)
-Tensión de alimentación
1,65 V ~ 2 V
Frecuencia de reloj
133 megahercios
Organización de la memoria
4M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
SPI - E/S cuádruples

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripciónes de los productos del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
580 - 3579 unidades
EUR 1175
>= 3580 unidades
EUR 588

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