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Servicio Integral Original de Chips Electrónicos, Componentes EPC2029, Transistores

Sin reseñas
EUR601
100-3,099 unidades
EUR301
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

EPC2029

Marca

Original

Descripción

GANFET N-CH 80V 48A DIE

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

Matriz

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Envío

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Características clave

Número de pieza del fabricante
EPC2029
Marca
Original
Descripción
GANFET N-CH 80V 48A DIE
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
Matriz
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Serie
eGaN
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
80 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
48A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
3.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 12mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1410 pF @ 40 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
5V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
GaNFET (nitruro de galio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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