Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
2 terabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (TLC)
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:256G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
