Componentes Electrónicos de Circuito Original, Servicio Integral, MT29F2T08EMHBFJ4-T:B 132 VBGA Memoria
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Atributos
FLASH - NAND (TLC)La tecnología
No volátilTipo de memoria
256G por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
2 terabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:A granel
Aplicación:Memoria
Características:Circuitos Integrados
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
FLASH - NAND (TLC)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
256G por 8
Tipo
Componente y Pieza
-Tensión de alimentación
1,7 V ~ 1,95 V
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Frecuencia de reloj
-
Lugar del origen
China
Tamaño de la memoria
2 terabits
Tipo de embajaje
A granel
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
1X1X1 cm
Peso bruto por lote
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100 - 3,099 unidades
EUR 0.5184
>= 3,100 unidades
EUR 0.2592
Variantes
ElegirEspecificación
MT29F2T08EMHBFJ4 T:B
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