Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componente Electrónico
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Asíncrono
-Tensión de alimentación:4,5 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:256 por 4
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:400 nanos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg
