Componente Electrónico Original de Servicio Integral 71V35761S200BG8 119 Memoria BGA
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
4,5 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Componentes Electrónicos Circuito IntegradoCaracterísticas
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Sincrónico, SDR
-Tensión de alimentación:3,135 V ~ 3,465 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Organización de la memoria:128K por 36
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4,5 Mbits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos Circuito Integrado
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SRAM - Sincrónico, SDR
-Tensión de alimentación
3,135 V ~ 3,465 V
Frecuencia de reloj
200 megahercios
Organización de la memoria
128K por 36
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100 - 3,099 unidades
EUR 0.4677
>= 3,100 unidades
EUR 0.2339
Variantes
ElegirEspecificación
71V35761S200BG8
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