Componente Electrónico Original de Servicio Integral MT29F4G16ABBEAH4:E TR 63 VFBGA Memoria
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Circuito Integrado ChipCaracterísticas
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:Flash - NAND
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:256M por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
Flash - NAND
-Tensión de alimentación
1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
256M por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100 - 3,099 unidades
EUR 0.5102
>= 3,100 unidades
EUR 0.2551
Variantes
ElegirEspecificación
MT29F4G16ABBEAH4:ETR
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