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Servicio Integral Original de Componentes Electrónicos, Transistores GTVA311801FA-V1 H-37265J-2

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Características principales

Número de pieza del fabricante

GTVA311801FA-V1

Marca

Original

Descripción

RF MOSFET HEMT H-37265J-2

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

H-37265J-2

Serie

GaN

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Características clave

Número de pieza del fabricante
GTVA311801FA-V1
Marca
Original
Descripción
RF MOSFET HEMT H-37265J-2
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
H-37265J-2
Serie
GaN
Código de fecha de fabricación
NUEVO
-Frecuencia de transición
2.7GHz ~ 3.1GHz
Corriente nominal (en amperios)
-
Potencia de salida
180W
-Tensión nominal
50 V
Configuración
-
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tecnología
HEMT
Configuración
-
Frecuencia
2.7GHz ~ 3.1GHz
Ganancia
15dB

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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