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Servicio Integral Original de Componentes Electrónicos, Transistores IQE013N04LM6CGATMA1 PG-TTFN-9-1

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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IQE013N04LM6CGATMA1

Marca

Original

Descripción

FET N-CH de 40V, fuente hacia abajo, CG 3x3

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PG-TTFN-9-1

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IQE013N04LM6CGATMA1
Marca
Original
Descripción
FET N-CH de 40V, fuente hacia abajo, CG 3x3
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PG-TTFN-9-1
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
OptiMOS
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
40 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
31A (Ta), 205A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
1.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 51µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3900 pF @ 20 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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