Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
18 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componente Electrónico Bom Service
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Sincrónico, SDR
-Tensión de alimentación:3,135 V ~ 3,465 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Organización de la memoria:512 mil x 36
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
