Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1.125 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados (IC)
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:memoria RAM 3
-Tensión de alimentación:1,28 V ~ 1,42 V
Frecuencia de reloj:933 megahercios
Organización de la memoria:32M x 36
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
