Servicio Integral Original de Componentes Electrónicos de Memoria 119 BGA CY7C1024AV33-10BGC
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Atributos
SRAM - AsíncronoLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
128K por 24Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
3 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:A granel
Aplicación:Memoria
Características:Circuito Integrado Chip
-Tensión de alimentación:3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:10 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SRAM - Asíncrono
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
128K por 24
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
3 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
A granel
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado Chip
-Tensión de alimentación
3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
10 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
38 - 3,037 unidades
EUR 343
>= 3,038 unidades
EUR 172
Variantes
ElegirEspecificación
CY7C1024AV33 10BGC
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