Servicio Integral Original de Memoria 134 VFBGA W97AH2NBVA2E TR, Componentes de Chips Electrónicos
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Atributos
SDRAM - LPDDR2-S4B móvilLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
32M x 32Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
1 gigabitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Componentes Electrónicos IC
-Tensión de alimentación:1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:400 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:número de escuela_12
Características clave
La tecnología
SDRAM - LPDDR2-S4B móvil
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
32M x 32
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
1 gigabit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos IC
-Tensión de alimentación
1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj
400 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15 segundos
Interfaz de Memoria
número de escuela_12
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
3,500 - 6,499 unidades
EUR 1.33
>= 6,500 unidades
EUR 0.6608
Variantes
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W97AH2NBVA2E traductor
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