Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
32 GB (NAND)Tamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado (IC)
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (TLC)
-Tensión de alimentación:1,8 V ~ 3,3 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Organización de la memoria:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:5 segundos
Interfaz de Memoria:eMMC_5.1
