Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
36 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Sincrónico, DDR II
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,9 V
Frecuencia de reloj:250 megahercios
Organización de la memoria:1M x 36
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:4 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
