Componente de Chip Electrónico Original de Servicio Integral, Memoria de 165 TBGA IDT71V3557SA80BQI
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Atributos
SRAM - Sincrónico, SDR (ZBT)La tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
128K por 36Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4,5 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Componentes de Chips Electrónicos
-Tensión de alimentación:3,135 V ~ 3,465 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SRAM - Sincrónico, SDR (ZBT)
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
128K por 36
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4,5 Mbits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Componentes de Chips Electrónicos
-Tensión de alimentación
3,135 V ~ 3,465 V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100 - 3,099 unidades
EUR 0.5108
>= 3,100 unidades
EUR 0.2554
Variantes
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IDT71V3557SA80BQI
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