Componentes Electrónicos Originales de Circuito Integrado One Stop Service Memory 200 WFBGA MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR
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Atributos
SDRAM - LPDDR4 móvilLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
128M por 32Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Componentes Electrónicos
-Tensión de alimentación:1,1 V
Frecuencia de reloj:1,6 gigahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:-
Características clave
La tecnología
SDRAM - LPDDR4 móvil
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
128M por 32
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos
-Tensión de alimentación
1,1 V
Frecuencia de reloj
1,6 gigahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
-
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
2,000 - 4,999 unidades
EUR 273
>= 5,000 unidades
EUR 137
Variantes
ElegirEspecificación
MT53B128M32D1DS 062 AIT: TR
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