Servicio Integral Original de Memoria, Módulo DIP 28, BQ4010MA-70, Compre en Línea Componentes Electrónicos
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Atributos
NVSRAM (SRAM no volátil)La tecnología
No volátilTipo de memoria
8K por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
64 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Tubo, tubo
Aplicación:Memoria
Características:Circuito Integrado Chip IC
-Tensión de alimentación:4,75 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:70 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
NVSRAM (SRAM no volátil)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
8K por 8
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
64 kilobit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Tubo, tubo
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado Chip IC
-Tensión de alimentación
4,75 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
70 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
18 - 3,017 unidades
EUR 750
>= 3,018 unidades
EUR 375
Variantes
ElegirEspecificación
BQ4010MA70
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