Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
512 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR móvil
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Organización de la memoria:32M x 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
