Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
256 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componente Electrónico
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NO (SLC)
-Tensión de alimentación:3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:32M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:70 nanos, 200 micrones
Interfaz de Memoria:fondo de inversión
