Componente de Chip Electrónico Original de Servicio Integral, Memoria 8 WDFN con Contacto Expuesto GD5F2GQ4UEYIGR
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
2 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Circuito Integrado ICCaracterísticas
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:Flash - NAND
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:120 megahercios
Organización de la memoria:256M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:700 micros
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
2 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado IC
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
Flash - NAND
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
120 megahercios
Organización de la memoria
256M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
700 micros
Interfaz de Memoria
SPI - E/S cuádruples
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
3,000 - 5,999 unidades
EUR 1.44
>= 6,000 unidades
EUR 0.7194
Variantes
ElegirEspecificación
GD5F2GQ4UEIGR
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