Componentes Electrónicos Originales de Circuito TR, Memoria 8 XFDFN con Contacto Expuesto W25Q16RVXHJQ, Servicio Integral
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Atributos
FLASH - NOLa tecnología
No volátilTipo de memoria
2M por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
16 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
Aplicación:Memoria
Características:Kit de Componentes Electrónicos
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:2 milisegundos
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples
Características clave
La tecnología
FLASH - NO
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
2M por 8
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
16 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
Aplicación
Memoria
Características
Kit de Componentes Electrónicos
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
133 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
2 milisegundos
Interfaz de Memoria
SPI - E/S cuádruples
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 3,999 unidades
EUR 0.315
>= 4,000 unidades
EUR 0.1448
Variantes
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W25Q16RVXHJQ TRA
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