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Servicio Integral Original de Memoria 8 SOIC NV25010DWVLT3G, Componentes Electrónicos

Sin reseñas
EUR 0.2784
2,000-4,999 unidades
EUR 0.1479
≥5,000 unidades

Código de fecha de fabricación

NUEVO

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

NV25010DWVLT3G

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Tamaño de la memoria

1Kbit

Lugar del origen

China

Descripción

EEPROM CMOS SER SPI de 1KB de bajo VCC

Envío

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Características clave

La tecnología
EEPROM
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
128 x 8
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Número de pieza del fabricante
NV25010DWVLT3G
Marca
Original
Tamaño de la memoria
1Kbit
Lugar del origen
China
Descripción
EEPROM CMOS SER SPI de 1KB de bajo VCC
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 125°C (TA)
PAQUETE/cubierta
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Serie
-
-Tensión de alimentación
1.7V ~ 5.5V
Frecuencia de reloj
20 MHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
4ms
Interfaz de memoria
SPI
Formato de memoria
EEPROM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores