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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

NTH4L045N065SC1

Marca

Original

Descripción

MOSFET de carburo de silicio, canal N

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-247-4L

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
NTH4L045N065SC1
Marca
Original
Descripción
MOSFET de carburo de silicio, canal N
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-247-4L
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
55A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
50mOhm @ 25A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.3V @ 8mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
105 nC @ 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1870 pF @ 325 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
15V, 18V
Vgs (Max)
+22V, -8V
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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