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Servicio Integral Original R1EV5801MBTDRDI # Componente de Chip Electrónico de Memoria B0 32 TFSOP

Sin reseñas
EUR 0.5199
100-3,099 unidades
EUR 0.2644
≥3,100 unidades
Código de fecha de fabricación

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

R1EV5801MBTDRDI#B0

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Tamaño de la memoria

1Mbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC EEPROM 1MBIT PAR 32TSOP I

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
R1EV5801MBTDRDI#B0
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Tamaño de la memoria
1Mbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC EEPROM 1MBIT PAR 32TSOP I
Tipo de embajaje
Bandeja
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
PAQUETE/cubierta
32-TFSOP (0.488", 12.40mm de ancho)
Serie
R1EV5801MB
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
EEPROM
-Tensión de alimentación
2.7V ~ 5.5V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
128K x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
10ms
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
EEPROM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores